Меню Сайта

Категории раздела

Железо [29]

Мини-чат

Статистика

Онлайн всего: 1

Гостей: 1

Пользователей: 0

Каталог статей

Главная » Статьи » Железо » Железо

[ Добавить статью ]

Память DDR2 плотностью 1 Гбит, произведенная Hynix по нормам «50-нм класса», прошла тесты Intel

Компания Hynix Semiconductor объявила о том, что ее компоненты памяти DDR2 плотностью 1 Гбит, выпущенные по нормам «50-нм класса», прошли верификацию Intel. Переход от техпроцесса 60-нм класса к техпроцессу 50-нм класса, по словам Hynix, позволяет существенно, на 50%, повысить эффективность производства, и компания рассчитывает на соответствующее снижение себестоимости микросхем. В чипах памяти плотностью 1 Гбит нашли применение новые технологии: «трехмерные транзисторы» и «W-DPG (Dual Poly Gate)». Это привело к значительному уменьшению утечек, что, в свою очередь, положительно сказалось на энергопотреблении и быстродействии памяти. Упомянутые технологии в будущем планируется распространить и на память DDR3. Серийный выпуск чипов DDR2 плотностью 1 Гбит и продуктов DDR3 начнется во второй половине будущего года. Гость для того чтобы скачать "Память DDR2 плотностью 1 Гбит, произведенная Hynix по нормам «50-нм класса», прошла тесты Intel", Вам нужно кликнуть по 1 из рекламных ссылок.
1 2 3 4 5 Категория: Железо \| Добавил: Mistik (26.11.2007) \| Автор: alexei E
Просмотров: 663 \| Рейтинг: 0.0/0

Всего комментариев: 0